Bachelorarbeit aus dem Jahr 2012 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1,7, Helmut-Schmidt-Universität - Universität der Bundeswehr Hamburg (Fakultät für Elektrotechnik), Sprache: Deutsch, Abstract: Die Entwicklung und Verbesserung von Metall-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) ist seit der Entdeckung des Feldeffektprinzips stetig vorangetrieben worden. Unter dem Feldeffektprinzip versteht man die Beeinflussung der Ladungsträgerverteilung durch das elektrische Feld einer angelegten Spannung an die Steuerelektrode eines Feldeffekttransistors. Die physikalischen Vorgänge und Abläufe in einem MOSFET sind heutzutage größtenteils bereits erforscht und bekannt. Aufbauend auf diesem Wissen werden seit den 1970er Jahren auch die Eigenschaften und Verwendungsmöglichkeiten sogenannter organischer Feldeffekttransistoren (OFETs) weiterentwickelt und untersucht.